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功率铁氧体材料

材质名

初始磁导率

饱和磁通密度

剩余磁通密度

矫顽力

相对损耗因数

居里温度

电阻率

密度

μi

Bs(23oC)

Br(23oC)

Hc(23oC)

tanoNG>d/μi(0.1MHz)

Tc

ρ

d

6H10

2500

510mT

110mT

13A/m

<5×10-6

>200oC

3Ω·m

4.8kg/m3×103

6H20

2300

510mT

130mT

13A/m

<5×10-6

>200oC

3Ω·m

4.8kg/m3×103

6H40

2400

530mT

110mT

10A/m

<3×10-6

>200oC

2Ω·m

4.9kg/m3×103

6H41

2500

530mT

110mT

10A/m

<3×10-6

>200oC

2Ω·m

4.9kg/m3×103

6H42

3400

530mT

110mT

10A/m

<3×10-6

>200oC

2Ω·m

4.9kg/m3×103

6H45

2400

530mT

105mT

9A/m

<3×10-6

>200oC

2Ω·m

4.9kg/m3×103

4H45

2000

540mT

130mT

13A/m

<5×10-6

>230oC

2Ω·m

4.9kg/m3×103

4H47

1200

550mT

200mT

15A/m

<4×10-6

>230oC

2Ω·m

4.9kg/m3×103

7H10

1500

480mT

150mT

30A/m

<5×10-6

>200oC

5Ω·m

4.8kg/m3×103

7H20

1000

480mT

130mT

25A/m

<4×10-6

>200oC

5Ω·m

4.8kg/m3×103

*1.各项数值均系用环形磁芯测定 (FR25/15/5)。
*2.如无说明各项数值均在室温下测定。
*3.初始磁导率在10kHz, 0.8A/m下测定。

高磁导率铁氧体材料

材质名

初始磁导率

饱和磁通密度

剩余磁通密度

矫顽力

相对损耗因数

居里温度

电阻率

密度

μi

Bs(23oC)

Br(23oC)

Hc(23oC)

tand/μi(0.1MHz)

Tc

ρ

d

2H03

2500
(±20%)

470mT

100mT

12.8A/m

<4×10-6
(100kHz)

>200oC

1Ω·m

4.8kg/m3×103

2H04

4500
(±20%)

420mT

80mT

8A/m

<10×10-6
(100kHz)

>140oC

1Ω·m

4.8kg/m3×103

2H05

5000
(±20%)

480mT

130mT

12A/m

<15×10-6
(100kHz)

>180oC

1Ω·m

4.8kg/m3×103

2H06

6500
(±20%)

420mT

80mT

8A/m

<30×10-6
(100kHz)

>140oC

0.2Ω·m

4.8kg/m3×103

2H07

7500
(±20%)

410mT

60mT

4A/m

<5×10-6
(10kHz)

>130oC

0.1Ω·m

4.9kg/m3×103

2H10

10000
(±20%)

400mT

60mT

3A/m

<7×10-6
(10kHz)

>120oC

0.01Ω·m

4.9kg/m3×103

2H15

15000
(±20%)

370mT

50mT

2A/m

<10×10-6
(10kHz)

>100oC

0.01Ω·m

5.0kg/m3×103

2H15B

10000
(±20%)

370mT

50mT

2A/m

<10×10-6
(10kHz)

>100oC

0.01Ω·m

5.0kg/m3×103

*1.各项数值均系用环形磁芯测定 (FR25/15/5)。
*2.如无说明各项数值均在室温下测定。
*3.初始磁导率在10kHz, 0.8A/m下测定。

 

 
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